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名無しのひみつ@転載は禁止
【材料物性/半導体】東大など、次世代磁気メモリ材料開発につながる電気分極成分を発見©2ch.net
【物質化学】世界最強の微小な分子磁石を合成 鉄原子42個からなるカゴ状磁性分子 [転載禁止]©2ch.net

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【材料物性/半導体】東大など、次世代磁気メモリ材料開発につながる電気分極成分を発見©2ch.net
4 :名無しのひみつ@転載は禁止[sage]:2015/01/16(金) 06:03:29.17 ID:mW/ndo8A
2013/11/21
【物理】東大、原子1個に記録された磁気情報を従来比10億倍に高める原理を解明
http://anago.2ch.net/test/read.cgi/scienceplus/1385036105/

2014/05/27
【技術】NTT、光メモリー消費電力100分の1 電気信号に変換不要
http://anago.2ch.net/test/read.cgi/scienceplus/1401199445/
2014/07/01
【科学】幅原子1個分の配線開発 NTTなど、LSI集積度1000倍も [7/1]
http://peace.2ch.net/test/read.cgi/newsplus/1404148659/

2015/01/08
【物質化学】世界最強の微小な分子磁石を合成 鉄原子42個からなるカゴ状磁性分子 [転載禁止](c)2ch.net
http://anago.2ch.net/test/read.cgi/scienceplus/1420686931/


2011/12/31
【年末/IT】半導体メモリ、この1年 迫る微細化限界を前に新メモリの開発が加速 3次元化 Si貫通ビア STT-MRAM
http://anago.2ch.net/test/read.cgi/scienceplus/1325307088/

2012/11/18
【半導体】半導体メモリー:記録密度10倍に 北大チームが開発
http://anago.2ch.net/test/read.cgi/scienceplus/1353230496/

2012/06/23
【技術】日立が3次元PRAMを開発、3次元NANDフラッシュ以下のビット・コスト目指す 1Tビットでの動作も可能
http://anago.2ch.net/test/read.cgi/scienceplus/1340377933/
2014/12/06
【NANDフラッシュ】東芝の半導体トップ、「いったんは3次元へ逃げるが低コストの次世代リソは必須」 [転載禁止](c)2ch.net
http://daily.2ch.net/test/read.cgi/newsplus/1417829315/
【物質化学】世界最強の微小な分子磁石を合成 鉄原子42個からなるカゴ状磁性分子 [転載禁止]©2ch.net
15 :名無しのひみつ@転載は禁止[sage]:2015/01/16(金) 06:04:34.72 ID:mW/ndo8A
2015/01/14
【材料物性/半導体】東大など、次世代磁気メモリ材料開発につながる電気分極成分を発見(c)2ch.net
http://anago.2ch.net/test/read.cgi/scienceplus/1421247272/


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