トップページ
>
科学ニュース+
>
2012年06月13日
>
IRUWghJf
書き込み順位＆時間帯一覧
43 位
/419 ID中
時間
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
Total
書き込み数
2
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
2
使用した名前一覧
書き込んだスレッド一覧
名無しのひみつ
【素材】耐圧20,000ボルト（世界最高）の炭化ケイ素半導体素子を実現 厚い高純度結晶を表面保護し構造を最適化 変電ロス削減−京大
【物性】ケイ素版グラフェンこと「シリセン」をSiウェハ上に作製 sp3結合による座屈構造を調整してバンドギャップの導入が可能−JAIST
書き込みレス一覧
【素材】耐圧20,000ボルト（世界最高）の炭化ケイ素半導体素子を実現 厚い高純度結晶を表面保護し構造を最適化 変電ロス削減−京大
21 ：
名無しのひみつ
[sage]：2012/06/13(水) 00:36:09.65 ID:IRUWghJf
>>19
まぁそれが所謂自然エネルギーがただでさえ効率悪いのに更に使えない理由になる訳ｄ
おい何をするやｍ
【物性】ケイ素版グラフェンこと「シリセン」をSiウェハ上に作製 sp3結合による座屈構造を調整してバンドギャップの導入が可能−JAIST
32 ：
名無しのひみつ
[sage]：2012/06/13(水) 00:41:08.22 ID:IRUWghJf
えぇい、ホモは帰れ
真面目な話、CVD法でいけるならMBEだとかよりは余程量産性の面ではいいんじゃないか？歩留まりがどうなるかわからんけど
シリセンについては詳しく知らないが、グラフェンと同じ構造や特性なら高速動作が可能な素材としては優秀かもしれん。
仮にCVD法で歩留まりがいいなら光学素材としてもいけるかも。
※このページは、
『２ちゃんねる』
の書き込みを基に自動生成したものです。オリジナルはリンク先の２ちゃんねるの書き込みです。
※このサイトでオリジナルの書き込みについては対応できません。
※何か問題のある場合は
メール
をしてください。対応します。