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139 ：名無しさん＠お腹いっぱい。[sage]：2013/09/12(木) 09:15:35.06 ID:rTecYzRQ - >>138
PCM1702はBi-CMOSプロセス。
DRAMは微細バルクCMOSだから転用はあり得ない。
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141 ：名無しさん＠お腹いっぱい。[sage]：2013/09/12(木) 09:45:05.28 ID:rTecYzRQ - >>140
一般的なDRAMはもちろんDRAM専用プロセスで作られるけど、
それは微細バルクCMOSプロセスだよ。
バルクの対義語はSOIだからね。
普通のDRAMでSOIやBi-CMOSプロセスを使うことはあり得ないから。
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143 ：名無しさん＠お腹いっぱい。[sage]：2013/09/12(木) 10:21:32.21 ID:rTecYzRQ - >>142
BBで製造した薄膜抵抗を沖電気でウエハーに載せるなんて工程はあり得ないよ。
BBが抵抗ネットワークの設計したことを言ってるか、あるいらNiCrの成膜技術をBBから供与した話だろう。
NiCrの成膜は普通にスパッタリングで行ってるだろう。アルミ層と同じで別に特別な方法ではないよ。
もちろん細かい技術ノウハウはあるだろうけどね。
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