- 高品質USBケーブル 6
76 ：名無しさん＠お腹いっぱい。[sage]：2012/07/29(日) 10:59:19.76 ID:Fo2bp8vC - >>73
同一線材、異種構造で比べれば、信号ラインのみのUSBケーブルが一番音質いいのはそのとおりだけど、
信号ラインのみだったら長く引いても大丈夫か？というのは、検証してみないとなんとも言えないな。
一般的には、CoaxS/PDIFラインよりもUSBラインのほうが伝送距離に弱くて、
DACが離れていても、PC傍にDDCを置いてS/PDIFで引き回すのがセオリーなんだけど、
信号ラインだけのUSBケーブルだったら、DAC傍へDDCを置く構成のほうが良い音になる可能性も完全には否定出来ない。
現在主流のUSB2.0オーディオインターフェースは、ハイスピードを使っていて、480M以下の帯域で0.4V0p（0V〜+0.4V）
S/PDIFはCDfsを24bit(※)で出力してバイフェーズマーク変調によって2.8M〜5.6Mの帯域で0.5Vp-p（-0.5V〜+0.5V）
※S/PDIFは16bit出力と24bit出力を同じ帯域で伝送する仕様で、16bitでは8bitの余剰がある。
100倍近い帯域差を考えたら、USBケーブルよりS/PDIFケーブルを延長しようとはなかなか思えないが、
オーディオは自分で試してみないと話が始まらない。
面白い結果が出そうな気がする。ちょっとやってみよう。
今、USBケーブルとS/PDIFケーブルの線種・構造が異なる構成なので、
準備段階として両者を揃えないとだめだな。
古いのを新しいのに揃えよう、S/PDIFケーブルを替えるなんて2年ぶりだ。
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80 ：名無しさん＠お腹いっぱい。[sage]：2012/07/29(日) 14:20:30.80 ID:Fo2bp8vC - とりあえずS/PDIFをUSB作動ラインと同じ線材にしてみた。
0.26mm銀コートPTFE単線をドリルのチャックに入れてツイステッド、長さ2m弱。
今まで使ってたやつは、フジクラの2心シールド細線に、24VDCのバイアスをシールドに印加して誘電損失を抑えた自作ケーブル。
いやぁ！ S/PDIF舐めてたよ
同軸線はシールドの編組構造が迷走電流の原因になるし、絶縁材との接触面積も大きく誘電損失が高い、
おまけに差動信号が通るというのに導体の静電容量が非平衡、オーディオ信号の短距離伝送として長所が皆無なので、
オーディオキャリアのはじめの方に同軸構造は排除して、それ以後はずっと2心で賄ってきたんだけど、
U-BYTE式とかETFE絶縁材の多心ケーブルとかで数点作ってみても、たいした音質の違いが聴こえなかったので、近年はなおざりにしてた。
USBケーブルの作製の為に探しだしてきた、潤工社の受注生産品のPTFE細線を今回S/PDIFにも転用したら、
低音はでかくなるし、高音は澄むし、彼女はできるし、宝くじは当たるし、えらいことですわw 音がガラリと変わってしまった。
銀と銅の、ほんの4%の導電率の違いや、細ピッチなツイストによる近接効果が、
高周波伝送では如何に大きく影響するかを実感した。
産業用高周波ケーブルは伊達に銀じゃない。例えばこんなの。
http://www.nihon-maruko.jp/products/high_speed/microwave/micro_wave.pdf
耳が慣れて今の音が完全に当たり前の音になったら、伝送距離にはどっちがタフか検証してみようと思う。
ツイストするのがめっちゃ難しいんだよね。USBは差動のライン長差が3mm以内ってレギュレーションがあって、
3mm差で差動スキューのジッタが16ps出る可能性があると解説されてる。
ハイスピードで1波形が2nSだから1%弱ものジッタがのることになる。
周期ジッタなんて、いくら増えても音質には影響ないだろうけども、
コントローラーが正常動作しにくくなるだろうし、避けないとね。
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81 ：名無しさん＠お腹いっぱい。[sage]：2012/07/29(日) 14:25:34.20 ID:Fo2bp8vC - ＞細ピッチなツイストによる近接効果が、
細線の細ピッチなツイストによる近接効果と平衡度の向上が、
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82 ：名無しさん＠お腹いっぱい。[sage]：2012/07/29(日) 18:03:02.85 ID:Fo2bp8vC - おおおお！ エージングで音が落ち着いてきた！ なんて低音だ！こりゃすげぇ！
以前から分子構造が中心対称のテフロンなら、
配向分極の整列の為のエージング時間やエージング電圧は不要なはずなのに、
実際には音が落ち着くまで、すくなくとも小一時間も掛かるのは何故なんだろうと思ってたんだが、
今さっき、よ〜〜うやく背景理論になりうる文献を見つけた！こいつだ！
http://www.jspf.or.jp/Journal/PDF_JSPF/jspf2007_04/jspf2007_04-350.pdf
352ページの推測がそれで、低温によるマイグレーションの悪化で、
導体表面にダングリングボンドが付着するからだと結論付けられてる。
この資料は線材の話ではなく、半導体プロセスの薄膜形成の技術解説なんだが、
ダングリングボンドの発生要件としては、普通の被覆線材も同じ事だろうと思う。
新品のフロン線に一度エージング電圧掛けて処理してしまえば、
ある程度不可逆的にエージングを進ませることが出来るのも、（そういうのはバーンインって呼ぶ方がしっくりくるが）
不対電子の先に近辺の適当な原子がくっつくからなんだな、多分。
今日はいい日だ。 面白いきっかけをありがとう>>79
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