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名無しさん＠涙目です。(静岡県)
中国人「日本の医療体制が中国より優れているのは社会主義の良い点を取り入れているオカゲだアル」
「1GBの保存が1秒」　既存フラッシュメモリの1000倍以上早い次世代メモリが韓国で開発される
今すぐSSD買って積め！捗りすぎて人間のほうが処理落ちするレベル

書き込みレス一覧

中国人「日本の医療体制が中国より優れているのは社会主義の良い点を取り入れているオカゲだアル」
68 ：名無しさん＠涙目です。(静岡県)[]：2011/03/02(水) 11:35:54.06 ID:uTg+/aaW0
貧乏人はまともな医療を受けられないって点では
アメリカと中国って似ているよね
中国人「日本の医療体制が中国より優れているのは社会主義の良い点を取り入れているオカゲだアル」
70 ：名無しさん＠涙目です。(静岡県)[]：2011/03/02(水) 11:39:41.06 ID:uTg+/aaW0
アメリカ人の共和党支持者は
保険医療制度は市場原理主義に反するから
自由競争と価格競争を阻害して医療システムを
腐らせるという強烈な信念を抱いてるよね

アメリカ保守派の市場原理主義崇拝っぷりは
かつての共産主義諸国民の思想洗脳並に強烈
「1GBの保存が1秒」　既存フラッシュメモリの1000倍以上早い次世代メモリが韓国で開発される
90 ：名無しさん＠涙目です。(静岡県)[]：2011/03/02(水) 11:42:43.73 ID:uTg+/aaW0
原理的には攻守最強のMRAMの時代はいつになったら来るんだよ
「1GBの保存が1秒」　既存フラッシュメモリの1000倍以上早い次世代メモリが韓国で開発される
225 ：名無しさん＠涙目です。(静岡県)[]：2011/03/02(水) 12:05:46.66 ID:uTg+/aaW0
こんな感じに解釈すればいいのか？
従来のフラッシュメモリ
ゲートから絶縁膜を介して高い電圧かけて
浮遊ゲートに電荷を蓄えデータを書きこむ
　　　　　　　　　　　　　　　 ゲート
　　　　　　　　　 　 　 　 　 　 ┃
　　　　　　　　　 ━━━━━┻━━━━
　　　　　　　　　┏━━━━━━━━━┓
　　　　　　　　　┃　 　 .浮遊ゲート 　 　 ┃
　　　　　　　　　┃ 　 　 　 　 　 　 　 　 　┃
　　　　　　　　　┗━━━━━━━━━┛　　　　
　　　　　　　　　┏━━━━━━━━━┓
　　　　　　　　　┃ 　 　 　 　 　 　 　 　 　┃
　 　 　 .━━━┛ 　 　 　 　 　 　 　 　 　┗━━━
　　　　　ソース　　　　　　　　　　　　　　　　ドレイン

>>1の超高速書き込みフラッシュメモリ
書き込み専用炭素ナノチューブトランジスタから
浮遊ゲートに電荷を送り込むので電荷注入が速くて定電圧で済む
　　　　　　　　　　　　　　　 ゲート
　　　　　　　　　 　 　 　 　 　 ┃
　　　　　　　　　 ━━━━━┻━━━━　　　　　　　 ┃
　　　　　　　　　┏━━━━━━━━━┓　　　　　━┻━　　　　
　　　　　　　　　┃　 　 .浮遊ゲート 　 　 ┃ 　 　 　┏━━┓
　　　　　　　　　┃ 　 　 　 　 　 　 　 　 　┣━━━┛ 　 　┗━━━━━
　　　　　　　　　┗━━━━━━━━━┛　炭素ナノチューブトランジスタ
　　　　　　　　　┏━━━━━━━━━┓
　　　　　　　　　┃ 　 　 　 　 　 　 　 　 　┃
　 　 　 .━━━┛ 　 　 　 　 　 　 　 　 　┗━━━
　　　　　ソース　　　　　　　　　　　　　　　　ドレイン
「1GBの保存が1秒」　既存フラッシュメモリの1000倍以上早い次世代メモリが韓国で開発される
250 ：名無しさん＠涙目です。(静岡県)[]：2011/03/02(水) 12:10:52.54 ID:uTg+/aaW0
>>233
おれ馬鹿だから
何でも図にしないとイメージできないのでｗ

ただカーボンナノチューブトランジスタの分
セルの集積度が低下して容量下がりそうなんだけど
そこらんどうすんだろ
「1GBの保存が1秒」　既存フラッシュメモリの1000倍以上早い次世代メモリが韓国で開発される
270 ：名無しさん＠涙目です。(静岡県)[]：2011/03/02(水) 12:14:20.03 ID:uTg+/aaW0
やはりDRAM以上に高速で、
フラッシュメモリみたいに書き換え繰り返しても劣化せず
フラッシュメモリと同様に一切電力要らずにデータ保持できる
理想のメモリのMRAMの時代を待ち望んでしまうぞ

スピン注入MRAM早く来てくれ
「1GBの保存が1秒」　既存フラッシュメモリの1000倍以上早い次世代メモリが韓国で開発される
279 ：名無しさん＠涙目です。(静岡県)[]：2011/03/02(水) 12:17:04.08 ID:uTg+/aaW0
>>262
言われてみれば絶縁体の方のゲートはいらんことになるね
こんな感じか？

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 ゲート
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 ┃
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 ┃
　　　　　　　　　┏━━━━━━━━━┓　　　　　━┻━
　　　　　　　　　┃　 　 .浮遊ゲート 　 　 ┃ 　 　 　┏━━┓
　　　　　　　　　┃ 　 　 　 　 　 　 　 　 　┣━━━┛ 　 　┗━━━━━
　　　　　　　　　┗━━━━━━━━━┛　炭素ナノチューブトランジスタ
　　　　　　　　　┏━━━━━━━━━┓
　　　　　　　　　┃ 　 　 　 　 　 　 　 　 　┃
　 　 　 .━━━┛ 　 　 　 　 　 　 　 　 　┗━━━
　　　　　ソース　　　　　　　　　　　　　　　　ドレイン
「1GBの保存が1秒」　既存フラッシュメモリの1000倍以上早い次世代メモリが韓国で開発される
289 ：名無しさん＠涙目です。(静岡県)[]：2011/03/02(水) 12:18:45.00 ID:uTg+/aaW0
ちなみにフラッシュメモリは東芝の技術者の発明です
「1GBの保存が1秒」　既存フラッシュメモリの1000倍以上早い次世代メモリが韓国で開発される
308 ：名無しさん＠涙目です。(静岡県)[]：2011/03/02(水) 12:22:13.84 ID:uTg+/aaW0
つか、東北大出身者はすご過ぎるだろ

八木式アンテナ
センダストアロイ
分割陽極型マグネトロン
光ファイバー
フラッシュメモリ
「1GBの保存が1秒」　既存フラッシュメモリの1000倍以上早い次世代メモリが韓国で開発される
320 ：名無しさん＠涙目です。(静岡県)[]：2011/03/02(水) 12:25:00.13 ID:uTg+/aaW0
確かReRAMって未だに物性レベルの原理が解明されてないんだっけ？
開発はガンガン進んでるけど
「1GBの保存が1秒」　既存フラッシュメモリの1000倍以上早い次世代メモリが韓国で開発される
328 ：名無しさん＠涙目です。(静岡県)[]：2011/03/02(水) 12:27:17.44 ID:uTg+/aaW0
そう言えばPRAMはサムスンは地道に作り続けてるけど
日本は製品化から撤退しちゃったよな
「1GBの保存が1秒」　既存フラッシュメモリの1000倍以上早い次世代メモリが韓国で開発される
338 ：名無しさん＠涙目です。(静岡県)[]：2011/03/02(水) 12:28:20.94 ID:uTg+/aaW0
>>333
フラッシュメモリの亜種みたいなもん
「1GBの保存が1秒」　既存フラッシュメモリの1000倍以上早い次世代メモリが韓国で開発される
356 ：名無しさん＠涙目です。(静岡県)[]：2011/03/02(水) 12:32:11.66 ID:uTg+/aaW0
>>344
おれもど素人だけど
言われてみればゲートの絶縁膜に無理やり電荷通すときの
絶縁膜劣化がフラッシュメモリの劣化の原因だから
絶縁膜通さないと寿命延びるかもな
「1GBの保存が1秒」　既存フラッシュメモリの1000倍以上早い次世代メモリが韓国で開発される
373 ：名無しさん＠涙目です。(静岡県)[]：2011/03/02(水) 12:38:05.40 ID:uTg+/aaW0
>>344
フラッシュメモリの劣化の原因は
ゲートのところの絶縁膜を電荷が無理やり貫通するせい

　　　　　　　　　　　　　　　 ゲート
　　　　　　　　　 　 　 　 　 　 ┃
　　　　　　　　　 ━━━━━┻━━━━　←ここの隙間んとこの
　　　　　　　　　┏━━━━━━━━━┓　金属酸化膜が劣化する
　　　　　　　　　┃　 　 .浮遊ゲート 　 　 ┃
　　　　　　　　　┃ 　 　 　 　 　 　 　 　 　┃
　　　　　　　　　┗━━━━━━━━━┛　　　　
　　　　　　　　　┏━━━━━━━━━┓
　　　　　　　　　┃ 　 　 　 　 　 　 　 　 　┃
　 　 　 .━━━┛ 　 　 　 　 　 　 　 　 　┗━━━
　　　　　ソース　　　　　　　　　　　　　　　　ドレイン


確かにこれなら劣化が防げるのかも？？
正直よくわからん
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 ゲート
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 ┃
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 ┃
　　　　　　　　　┏━━━━━━━━━┓　　　　　━┻━
　　　　　　　　　┃　 　 .浮遊ゲート 　 　 ┃ 　 　 　┏━━┓
　　　　　　　　　┃ 　 　 　 　 　 　 　 　 　┣━━━┛ 　 　┗━━━━━
　　　　　　　　　┗━━━━━━━━━┛　炭素ナノチューブトランジスタ
　　　　　　　　　┏━━━━━━━━━┓
　　　　　　　　　┃ 　 　 　 　 　 　 　 　 　┃
　 　 　 .━━━┛ 　 　 　 　 　 　 　 　 　┗━━━
　　　　　ソース　　　　　　　　　　　　　　　　ドレイン
「1GBの保存が1秒」　既存フラッシュメモリの1000倍以上早い次世代メモリが韓国で開発される
385 ：名無しさん＠涙目です。(静岡県)[]：2011/03/02(水) 12:45:08.35 ID:uTg+/aaW0
>>382
カーボンナノチューブトランジスタが
ゲート開いてない間は絶縁膜の代わりに電荷をせき止めると思うです
「1GBの保存が1秒」　既存フラッシュメモリの1000倍以上早い次世代メモリが韓国で開発される
390 ：名無しさん＠涙目です。(静岡県)[]：2011/03/02(水) 12:46:53.05 ID:uTg+/aaW0
>>381
readは全く変わらないと思う
書き込み時のゲート操作だけの話だから
「1GBの保存が1秒」　既存フラッシュメモリの1000倍以上早い次世代メモリが韓国で開発される
399 ：名無しさん＠涙目です。(静岡県)[]：2011/03/02(水) 12:49:27.65 ID:uTg+/aaW0
問題はカーボンナノチューブの層を作るのが
滅茶苦茶製造難易度が高そうなところじゃないだろうか？
今すぐSSD買って積め！捗りすぎて人間のほうが処理落ちするレベル
416 ：名無しさん＠涙目です。(静岡県)[]：2011/03/02(水) 12:57:12.77 ID:uTg+/aaW0
>>405
HDDとか光学ティスクとかは凄まじいエラー訂正とビット変調かけてるからな
フラッシュメモリはだんだん素のエラー率でもHDDに近づきつつあるってことだな
「1GBの保存が1秒」　既存フラッシュメモリの1000倍以上早い次世代メモリが韓国で開発される
413 ：名無しさん＠涙目です。(静岡県)[]：2011/03/02(水) 12:58:41.41 ID:uTg+/aaW0
>>411
メモリ技術とか好きな俺としては
嫌韓厨が多くてもスレが賑わうのは嬉しい
いつもこの手のスレは即死だったからw
「1GBの保存が1秒」　既存フラッシュメモリの1000倍以上早い次世代メモリが韓国で開発される
420 ：名無しさん＠涙目です。(静岡県)[]：2011/03/02(水) 13:02:29.26 ID:uTg+/aaW0
ここ20年の電子技術の勝者を見ると

欠点は少ないけどコストが高い方式＜＜＜欠点多いけどとにかく安い方式

って感じでコスト高い方式は普及して安くなる
良循環のサイクルに入る前に淘汰されちまうんだよな
しょうがないことだが寂しい限り
「1GBの保存が1秒」　既存フラッシュメモリの1000倍以上早い次世代メモリが韓国で開発される
447 ：名無しさん＠涙目です。(静岡県)[]：2011/03/02(水) 13:29:05.83 ID:uTg+/aaW0
カーボンナノチューブでググってたら10億年データ保存可能な
カーボンナノチューブメモリとかヒットして
原理が凄すぎてﾜﾛﾀ
http://wiredvision.jp/news/200906/2009060323.html

http://www.physics.berkeley.edu/research/zettl/projects/memory/memory_files/NTarray.jpg
「1GBの保存が1秒」　既存フラッシュメモリの1000倍以上早い次世代メモリが韓国で開発される
457 ：名無しさん＠涙目です。(静岡県)[]：2011/03/02(水) 13:36:53.62 ID:uTg+/aaW0
>>452
CNT memoryは>>1とはまた別のメモリだと思う
「1GBの保存が1秒」　既存フラッシュメモリの1000倍以上早い次世代メモリが韓国で開発される
467 ：名無しさん＠涙目です。(静岡県)[]：2011/03/02(水) 13:47:45.09 ID:uTg+/aaW0
>>460
あ、それフラッシュメモリの記事だわ
すまんかった

ちょっと今から読んでみる
「1GBの保存が1秒」　既存フラッシュメモリの1000倍以上早い次世代メモリが韓国で開発される
474 ：名無しさん＠涙目です。(静岡県)[]：2011/03/02(水) 13:55:04.68 ID:uTg+/aaW0
なんか金属膜を物理的に動かして充放電するメモリも載ってたぞ
http://www.nature.com/ncomms/journal/v2/n3/images/ncomms1227-f1.jpg

なんて大胆な構造なんだw
「1GBの保存が1秒」　既存フラッシュメモリの1000倍以上早い次世代メモリが韓国で開発される
479 ：名無しさん＠涙目です。(静岡県)[]：2011/03/02(水) 13:59:30.42 ID:uTg+/aaW0
>>460の記事に載ってる新型フラッシュメモリは二種類あって
どちらも浮遊ゲートへの充電放電を酸化絶縁膜を通さず行うもので

一つは金属の微小な板を物理的にスイッチングすることで浮遊ゲートへ充放電する方式で
もう一つが>>1の浮遊ゲートへの充放電にCナノチューブトランジスタ使う方法
「1GBの保存が1秒」　既存フラッシュメモリの1000倍以上早い次世代メモリが韓国で開発される
482 ：名無しさん＠涙目です。(静岡県)[]：2011/03/02(水) 14:02:46.88 ID:uTg+/aaW0
>>479ちょっと訂正
金属スィッチの方もCナノチューブ使ってるな
金属スィッチ+Cナノチューブトランジスタで1セットなのかな？
「1GBの保存が1秒」　既存フラッシュメモリの1000倍以上早い次世代メモリが韓国で開発される
494 ：名無しさん＠涙目です。(静岡県)[]：2011/03/02(水) 14:10:20.87 ID:uTg+/aaW0
ttp://www.nature.com/ncomms/journal/v2/n3/full/ncomms1227.html
これよく読んだらこういう構造だったわ
これはCナノチューブトランジスタよりも
金属スィッチの方が原理の要じゃねーか


　　　　　　　　物理的に上下する金属スイッチゲート
　　　　　　　　 　　 ━━━━━━━━━━┓
　　　　　　　　　┏━━━━━━━━━┓ ┃
　　　　　　　　　┃　 　 .浮遊ゲート 　 　 ┃ ┗━━━━━━━
　　　　　　　　　┗━━━━━━━━━┛　　　　
　　　　　　　　　┏━━━━━━━━━┓
　　　　　　　　　┃ 　 　 　 　 　 　 　 　 　┃
　 　 　 .━━━┛ 　 　 　 　 　 　 　 　 　┗━━━
　　 ソース　　Cナノチューブトランジスタ　　　ドレイン
「1GBの保存が1秒」　既存フラッシュメモリの1000倍以上早い次世代メモリが韓国で開発される
503 ：名無しさん＠涙目です。(静岡県)[]：2011/03/02(水) 14:17:25.43 ID:uTg+/aaW0
もうちょっと改良

　　　　　　　↑　物理的に上下する金属スイッチゲート
　　　　　　　　━━━━━━━━━━━━┓
　　　　　　　↓..┏━━━━━━━━━┓ ┃
　　　　　　　　　┃　 　 .浮遊ゲート 　 　 ┃ ┗━━━━━━━━━
　　　　　　　　　┗━━━━━━━━━┛　━━━━━━　　
　　　　　　　　　┏━━━━━━━━━┓　　　↑この電極に電圧かけて
　　　　　　　　　┃ 　 　 　 　 　 　 　 　 　┃　　　　静電気力で金属スィッチを上下させる　
　 　 　 .━━━┛ 　 　 　 　 　 　 　 　 　┗━━━
　　 ソース　　Cナノチューブトランジスタ　　　ドレイン
「1GBの保存が1秒」　既存フラッシュメモリの1000倍以上早い次世代メモリが韓国で開発される
510 ：名無しさん＠涙目です。(静岡県)[]：2011/03/02(水) 14:25:51.91 ID:uTg+/aaW0
>>500
CNTにした理由はイマイチよくわからんけど
動作速度あげるためっぽい感じだな
だからCNTと金属スィッチを組み合わせる必然性はないように思った
「1GBの保存が1秒」　既存フラッシュメモリの1000倍以上早い次世代メモリが韓国で開発される
516 ：名無しさん＠涙目です。(静岡県)[]：2011/03/02(水) 14:33:50.56 ID:uTg+/aaW0
> The endurance rating is determined by the number of
> switching cycles of the MEM cantilever

このメモリセルの寿命は金属スィッチの寿命次第で
従来型フラッシュメモリの1000倍の寿命が見込めるらしい
「1GBの保存が1秒」　既存フラッシュメモリの1000倍以上早い次世代メモリが韓国で開発される
531 ：名無しさん＠涙目です。(静岡県)[]：2011/03/02(水) 14:44:34.65 ID:uTg+/aaW0
このメモリの要は金属スィッチだから
カーボンナノチューブトランジスタはおまけみたいなもんだね
「1GBの保存が1秒」　既存フラッシュメモリの1000倍以上早い次世代メモリが韓国で開発される
559 ：名無しさん＠涙目です。(静岡県)[]：2011/03/02(水) 15:49:57.11 ID:uTg+/aaW0
それでもやっぱり俺は懲りずに究極のメモリーMRAMを待つぞ
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/semicon/20100914_393542.html


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