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522 ：ドレミファ名無シド[sage]：2015/05/28(木) 02:23:48.07 ID:TK6YfjQr - >>519
その割合が一緒の回路定数では電源電圧によってバイアス量が変わるという事だ。
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524 ：ドレミファ名無シド[sage]：2015/05/28(木) 03:47:26.27 ID:TK6YfjQr - そう。抵抗分圧で生成したバイアスが仮想GNDの中点電位だけなら耐圧だけを
気にすれば問題ないが、例えば+2.5Vの様にある絶対値を生成している場合や
トランジスタのIB、FETのIDSSを決める様な箇所は問題がでてくる。
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533 ：ドレミファ名無シド[sage]：2015/05/28(木) 13:21:44.07 ID:TK6YfjQr - 回路としてﾅﾆｺﾚ感が拭えないなｗ
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