- ルネサスエレクトロニクス_セカンドシーズン★4
77 ：名無しさん[sage]：2022/08/31(水) 10:40:23.05 ID:BYSyGhHi0 - 経産省マジでインテル誘致成功しちゃったん？
TSMCのときと一緒で出来レースっぽい
「ポスト5G情報通信システム基盤強化研究開発事業／先端半導体製造技術の開発（委託）」の公募を開始します（2022年8月31日）
https://www.meti.go.jp/policy/mono_info_service/joho/post5g/20220831.html
（d）国際連携による次世代半導体製造技術開発（委託）
次世代半導体製造技術の確立のためには、国内にない技術や知見を活用することが必要であり、国際連携が不可欠である。
2025年以降に最先端になると予想されている2nmノードでは、GAA（Gate All Around）構造や新材料の導入などが必要である。
こうした次世代半導体の生産能力を確保するためには、各プロセス技術開発や製造装置の評価検証に加えて、所望のデバイス特性や歩留まり・コストを達成する必要がある。
そのためには、微細構造を実現するために必須となる最先端の露光技術によってGAA構造を実現するための製造技術や、それら技術で実現するデバイスの検証・評価技術等が不可欠である。
一方で、これらの技術のうち、一部が現在国内には無い。
そこで、2nmノードの最先端半導体で求められる基盤的な技術を国際連携により確保した上で、2nmノードで実現しうるトランジスタ集積度と信頼性を達成する製造技術を開発し、現在国内に無い最先端ロジック半導体の製造技術を確立する。
（d1）高集積最先端ロジック半導体の製造技術開発
＜開発対象＞・最先端半導体に必要なトランジスタ集積度と信頼性を達成するロジック半導体製造技術。
＜開発目標＞・テストチップにおいて、以下のSRAMをGAA構造により作り、動作を実証すること。
また、動作寿命予測に資する高温動作寿命試験を実施すること。
また、ターゲットとする用途に応じた測定条件・目標値を提案時に設定すること。
＜応募条件＞
・海外企業等と共同で研究開発事業を実施する、または、研究開発内容に対するアドバイザ等として海外企業等が参画すること。
※「海外企業等」として、提案者の親会社、子会社は対象外とする。
・上記のほか、「海外企業等」の属する国・地域と、日本政府との政府間交渉により、同国・地域の法令等を踏まえて、追加で条件が付される可能性がある。
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