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2017年06月19日
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85vbwyYE
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名刺は切らしておりまして
【技術】Samsung、64層256Gb V-NANDフラッシュの量産を開始 〜2017年下半期に搭載SSDなどを投入 [無断転載禁止]©2ch.net
書き込みレス一覧
【技術】Samsung、64層256Gb V-NANDフラッシュの量産を開始 〜2017年下半期に搭載SSDなどを投入 [無断転載禁止]©2ch.net
44 ：
名刺は切らしておりまして
[sage]：2017/06/19(月) 15:52:26.18 ID:85vbwyYE
3D NANDは黎明期から追いかけてきたが、技術的アドバンテージの余力は
新構造に注がれたみたいだな、製造で一番難しいのはチャネルホールの穿孔
1層を薄型化することで製造の難度を下げ、他社競合(CTF)と同じ厚さならより多い積層数
同じ積層数なら歩留まりの向上、といった信頼性および生産性を向上させている
【技術】Samsung、64層256Gb V-NANDフラッシュの量産を開始 〜2017年下半期に搭載SSDなどを投入 [無断転載禁止]©2ch.net
48 ：
名刺は切らしておりまして
[sage]：2017/06/19(月) 16:21:41.56 ID:85vbwyYE
IMFT ＜ 我々がOptaneとQuantXで、MRAMの競合アプリケーションは実用化している
富士通＆NANTEROのカーボンナノチューブを利用したNRAMの方が実用化は早いだろうな
45nmプロセスで生産できるとか言ってるし、東芝メモリはどうでもいいがこちらは期待
【技術】Samsung、64層256Gb V-NANDフラッシュの量産を開始 〜2017年下半期に搭載SSDなどを投入 [無断転載禁止]©2ch.net
52 ：
名刺は切らしておりまして
[sage]：2017/06/19(月) 16:29:37.33 ID:85vbwyYE
>>49
多層化での200層なら今でも可能、例えば64層穿孔した上に重ねればいいだけ
ただ商用に耐えうる生産コスト比が確保できないのが難点
後発はまた構造パクればいいから楽ではあるだろうけどねｗ
【技術】Samsung、64層256Gb V-NANDフラッシュの量産を開始 〜2017年下半期に搭載SSDなどを投入 [無断転載禁止]©2ch.net
57 ：
名刺は切らしておりまして
[sage]：2017/06/19(月) 16:59:40.04 ID:85vbwyYE
>>54
日本語でおｋ
【技術】Samsung、64層256Gb V-NANDフラッシュの量産を開始 〜2017年下半期に搭載SSDなどを投入 [無断転載禁止]©2ch.net
59 ：
名刺は切らしておりまして
[sage]：2017/06/19(月) 17:05:32.40 ID:85vbwyYE
TV関係除いた家電は、全部中華の美的（MIDEA）に売り飛ばしたぞｗ
【技術】Samsung、64層256Gb V-NANDフラッシュの量産を開始 〜2017年下半期に搭載SSDなどを投入 [無断転載禁止]©2ch.net
63 ：
名刺は切らしておりまして
[sage]：2017/06/19(月) 17:43:13.98 ID:85vbwyYE
までも、東芝メモリの売り先が決まりそうで良かったじゃない
2兆円あれば本社は安泰、東芝メモリ自体は口出しする出資者が多すぎて前途多難だが
日米韓連合で、日本からは公は産業革新機構と政策投資銀行（税金がドブになる可能性）
私企業が一口100億で数社、東芝自体も出資するといった話もある
アメリカはファンドのベインキャピタル（KKRは離脱？）
韓国からはベインキャピタルと組んでいたSK HYNIX
独占禁止法を回避するために、SK HYNIXは資金提供といった体裁で
経営にはしばらく関与せず、体の良いATMと揶揄すべきか
【技術】Samsung、64層256Gb V-NANDフラッシュの量産を開始 〜2017年下半期に搭載SSDなどを投入 [無断転載禁止]©2ch.net
73 ：
名刺は切らしておりまして
[sage]：2017/06/19(月) 19:39:58.95 ID:85vbwyYE
市場のドミネーション開始
＞ またSamusngでは年末までに64層256Gbit 3D TLC NANDの生産比率を50％以上に高める予定だ。
現行最速。業界初の64層256Gbit 3D TLC NANDフラッシュ、Samsungが量産開始
http://www.gdm.or.jp/pressrelease/2017/0615/211034
【技術】Samsung、64層256Gb V-NANDフラッシュの量産を開始 〜2017年下半期に搭載SSDなどを投入 [無断転載禁止]©2ch.net
77 ：
名刺は切らしておりまして
[sage]：2017/06/19(月) 20:14:19.92 ID:85vbwyYE
チップ容量は小さいほうが（といっても流石に64Gb等は時代遅れ）
容量に対してフレキシブルに対応できる上、MCMで小容量でも高速な製品が作れる
実際に512Gbで今年はじめに試作してるが、量産が256Gbになってるのは下記の理由もある
判りやすく書けば、例えば128GBのSSDを作る、速度は1チップあたりスループットを50MB/sとする
512Gbであれば2チップで100MB/sしか出ないが、256Gbであれば4チップで200MB/sと倍の速度が出せる
256GBモデルでも、素のバースト速度で200MB/s程度しか出ないのはキツイ
モディファイライトが多発する実運用では更に遅くなるわけだしな
【技術】Samsung、64層256Gb V-NANDフラッシュの量産を開始 〜2017年下半期に搭載SSDなどを投入 [無断転載禁止]©2ch.net
89 ：
名刺は切らしておりまして
[sage]：2017/06/19(月) 23:06:32.82 ID:85vbwyYE
>>81
よく知らずに書くからそんな噴飯レベルの書き込みしか出来ないんだなｗ
今回の改良は1ダイで1Gbpsのスループット
そして512Gbは1ダイで64GBもの容量があるから、低容量は糞みたいな速度になるって事が判らない
お前さんみたいな無知は速度の出ないSSDで喜べるみたいだから別に構わないかｗ
【技術】Samsung、64層256Gb V-NANDフラッシュの量産を開始 〜2017年下半期に搭載SSDなどを投入 [無断転載禁止]©2ch.net
90 ：
名刺は切らしておりまして
[sage]：2017/06/19(月) 23:09:43.56 ID:85vbwyYE
>>83
OptaneとMRAMはSCMを想定しているが？
それでは何のアプリケーションな訳でしょうかーｗ
ちなみにOptane DIMMもSCM、Optane SSDもSCMを想定しています
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